ГлавнаяНовостиВ России
Российские ученые испытали новый материал для нейрокомпьютеров
В России
02.09.2017
78
0.0

-Ученые кафедры физики твердого тела и наносистем, Институт лазерных и плазменных технологий, Национальный исследовательский ядерный Университет МИФИ в сотрудничестве со специалистами из Института физики твердого тела РАН и Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов Российской Академии наук предложили новые материалы, которые могут быть реализованы в биполярный эффект резистивных переключений. Эти материалы могут стать основой для разработки компьютерных мемристор, что не только хранить, но и обрабатывать информацию, как нейроны в человеческом мозге. Результаты, опубликованные в журнале Materials Letters

-Исследования этого явления ведутся сейчас во всем мире, как в области фундаментальной науки и прикладных проблем: биполярный эффект резистивного переключения может быть использован для создания Dogterminal энергонезависимой памяти, и мемристор четвертый фундаментальный элемент электроники. Мемристоры могут стать основой для нового подхода к обработке информации, так называемые мемкомпьютингом. 
Мемкомпьютингом называют новый способ обработки информации, когда в оперативной памяти и "прочный" (жесткий диск) такие же элементы, как и нейроны головного мозга. Эффект резистивного переключения показано, что под действием внешнего электрического поля электропроводность материала может различаться на несколько порядков.

-Таким образом, реализация двух метастабильных состояний высокорезистивное и низкорезистивное. Если характер смещения зависит от направления воздействия электрического поля называется биполярным. Механизм переключения зависит от типа материала это может быть формирование проводящих каналов из-за миграции ионов металла, формирование барьеров Шоттки, фазовых переходов металл-диэлектрик и других.


Теги:новости, Ран, наносистем, мемкомпьютинг


Читайте также

Комментарии (0)

avatar